摩爾定律一直是指導微電子行業發展速度的準則之一。根據摩爾定律，以硅材料為主的微電子器件的集成度越來越高，器件的特徵尺度越來越小，從而使集成電路的性價比越來越高。然而，根據美國半導體工業協會(SIA)的報告[1]，當最小特徵尺寸達到10nm時，微電子器件將達到物理極限，摩爾定律不再成立。這是因為當微電子器件的特徵尺寸在10nm以下時，微觀下的物理效應，例如量子效應、表面效應等，將變得不可忽略[2]，器件的工作機理、材料和工藝技術都將不同於特徵尺寸大於10nm的傳統器件。因此，研究半導體納米材料(顆粒大小在1?100nm範圍)及其微觀尺度下的特殊性質，對於解決特徵尺寸不斷縮小給微電子技術帶來的問題具有十分重要的意義。
2新型納米材料
2.1納米材料簡述
納米材料是指晶粒尺寸為納米級(10-9m)的超細材料，其結構包括粒子和粒子間界面兩個部分，粒子具有長程序晶狀結構，而粒子間界面則為無序結構[3]。另外，納米材料微粒尺寸大於原子簇，小於通常的微粒，一般為1?100nm。納米材料具有納米晶粒與高濃度晶界兩個重要特徵。其中，大晶體連續能帶可以分裂成接近分子軌道的能級，所以納米晶粒的原子排列不能處理為無限長程序。而由納米晶粒產生的高濃度晶界及晶界原子的特殊結構會導致材料的力學性能、磁性、介電性、超導性、光學乃至熱力學性能的改變[46]。以金為例，當金的顆粒直徑小於100nm時，金顆粒由金屬態轉為膠態，可溶於水，且溶液顏色隨金顆粒直徑的減小從紫色變為紅色，2.2納米材料特性2.2.1表面效應研究表明，當粒子直徑減小時，納米材料粒子表面積急劇增大8。因此，當粒子直徑處在10nm以下時，隨着粒子直徑的減小和內部原子所處環境的不同，表面原子數將迅速增加，導致表面原子配位數不足和表面能較高，從而使這些原子容易與其他原子結合，故具有很高的化學活性。以納米金顆粒為例，由於表面效應，100nm以下的金顆粒具有較高的表面能，從而吸引溶液中的陽離子Au3+，而集聚的陽離子將會繼續吸引陰離子，最終溶液達到過飽和，使金顆粒在溶劑中均勻分佈，形成金溶於水的現象。
2.2.2量子尺寸效應
納米材料因尺寸減小而帶來的.重要性質是量子尺寸效應。根據能帶理論，對於宏觀物體包含無限個原子的情形(導電電子數N—⑵)，有：5=4Ef/3N(1)對於納米粒子，因N值很小，導致5較大。當能級間距5=%時，就會發生量子尺寸效應，從而導致納米顆粒的聲、光、電、磁、熱力學等特性與宏觀特性顯著不同。
目前，納米電子學是基於納米粒子的量子效應來設計並製備納米量子器件的新學科。它將納米技術與微電子學有機地結合在一起，旨在實現突破性的創新科技，開拓新的市場[9,10]。相對於之前的真空電子管和固態晶體電子管，納電子管被視為具有革命性特徵的第三代器件。納電子管在工作機理、加工技術和所用材料上都與真空電子管和固態晶體電子管有很大的不同。本文主要討論納電子學中所用的納米材料，重點介紹石墨烯和碳納米管等新型納米半導體材料。
3新型納米材料
3.1碳納米管
碳納米管(CarbonNanoTube，CNT)是由石墨碳原子層捲曲而成，管上的碳原子相互之間以碳^碳鍵結合，形成由六邊形組成的蜂窩狀結構，作為碳納米管的骨架。管子在半徑方向非常細，只有納米尺度，而在軸方向則可長達數十到數百微米。幾萬根碳納米管並起來也只有一根頭髮絲寬，碳納米管的名稱也由此而來。
碳納米管結構的變化會使其性質發生變化，有可能由絕緣體轉變為半導體，也可能由半導體變為金屬。比如，在具有金屬導電性的碳納米管中通過量子化的磁通量，則其阿哈諾夫-波姆效應(A-B效應)尤為明顯。
碳納米管的硬度與金剛石相當，內部可以填充金屬、氧化物等物質。碳納米管還擁有良好的柔韌性。因此，碳納米管可以作為模具，具有超常的強度、熱導率、磁阻等[11，12]。有些碳納米管本身還可以作為具有納米尺度的導線。利用碳納米管或相關技術製備的微導線可以置於硅芯片上，用來製作更加複雜的電路。
國際半導體技術發展路線圖(ITRS)預測，在特徵尺寸小於45nm的微電子技術中，傳統的銅互連線將出現失效問題。在現行器件尺寸縮小技術及相關的VLSI設計中，局部結構連線的尺寸接近銅電子的自由程量級，導致雜質和粒子邊界對電子的散射效應增強，從而使導體電阻顯著增加。圖2所示為ITRS預測的90nm線寬下導線電流密度與特徵尺寸的關係流密度(斜紋條形)迅速上升，且顯著快於互連線電流密度(實心條形)的上升速度。因此，電路結點將經受強烈的電遷移和熱衝擊，約束了電路中的結點數量[14’15]。碳納米管具有很高的電流導通能力，成為最有希望解決可靠性和熱擾動問題的候選者。
3.2石墨烯
石墨烯(Graphene)是平面多環芳香烴原子晶體，其命名來自英文的graphite(石墨))和-ene(烯類後綴)。石墨烯可想象為由碳原子和其共價鍵所形成的原子網格，碳原子排列與石墨的單原子層相同，是碳原子呈蜂巢晶格排列構成的單層二維晶體。
石墨烯的結構非常穩定，其內部碳原子之間的連接很柔韌，碳^碳鍵僅為0.142nm。當外力施加於石墨烯時，碳原子面會彎曲變形，使碳原子不必重新排列來適應外力，從而保持結構穩定。這種穩定的晶格結構使石墨烯具有優良的導熱性。另外，石墨烯中的電子在軌道中移動時，不會因晶格缺陷或引入外來原子而發生散射。
石墨烯是已知材料中最薄的一種，捲成圓桶形可以用作碳納米管，且質地非常牢固堅硬，在室温狀況下，傳遞電子的速度比已知導體都快。
4石墨烯在電子技術中的應用
由於石墨烯所具有的奇特性質，它被認為是後摩爾時代硅的接替者[17-19]，可用於製作單分子的氣體傳感器、太赫茲諧振器、量子計算機等。
4.1集成電路
石墨烯具備作為優秀的集成電路電子器件的理想性質。石墨烯具有極高的載流子遷移率和極低的噪聲，可以用作場效應晶體管的溝道。目前的問題是單層的石墨烯製造困難，更難做出合適的基板。2011年6月，IBM的研究人員宣佈，他們已經成功地製造出第_個以石墨烯為基礎的寬帶無線混頻器集成電路[23]。在沒有進行優化的情況下，電路處理頻率高達10GHz，而且能經受高達127°C的高温。然而，這個由石墨烯製成的集成電路也面臨諸多問題，如石墨烯與鋁、金、鉑等金屬的連接較困難，以及由於石墨烯極薄，其僅有_個原子寬度的薄層極易被刻蝕工藝破壞。
4.2量子計算機
由於石墨烯的二維性質，科學家認為石墨烯會發生電荷分數化(低維物質的單獨準粒子的表觀電荷小於單位量子)。因此，石墨烯很有可能是製造量子計算機所需要的任意子元件的合適材料[24,25]。4.3太赫茲等離子諧振器由於單層石墨烯不尋常的低能量電子結構，及其狄拉克費米子(石墨烯的電子和空穴)的特殊性質，在室温下，通過施加外磁場，石墨烯納米帶的光學響應可以調整至太赫茲頻域。
兩種基於石墨烯的太赫茲器件如圖3和圖4所示。線性波導轉換器的襯底和波導的中間介質採用石墨烯，使用光注入技術。等離子體波導的PN結采用石墨烯，可在能級間實現粒子數反轉。
自20世紀80年代以來，納米技術研究_直處於方興未艾的階段。半導體納米材料因其具有量子效應而可能在後摩爾時代中發揮巨大作用。儘管根據當前的研究，由新型納米半導體材料製作的器件和集成電路仍然存在與金屬接觸性能不好、與傳統工藝技術不兼容、難以量產等問題，但是，從長遠看，前景仍然是廣闊的。在微電子領域，在太赫茲技術、量子信息學等比較新的電子信息學科中都有納米材料的身影。因此，在學科交叉日益密集的今天，電路設計人員也有必要了解納米材料。
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